| 发明名称 | 绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料，使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。根据本发明可以得到对半导体装置的层间绝缘膜等有用的、相对介电常数低且铜扩散阻挡性高的绝缘膜。在下述化学式(1)中，n是3～6的整数，R1和R2分别独立地为C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9和C5H11中的任意一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101925690B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN200980102716.X | 申请日期 | 2009.01.20 |
| 申请人 | 独立行政法人物质·材料研究机构;大阳日酸株式会社 | 发明人 | 大野隆央;田岛畅夫;羽坂智;井上实;迫田薰;稻石美明;神力学;宫泽和浩 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01)I;C07F7/08(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 陈万青;王珍仙 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜材料，用于等离子体化学气相沉积(CVD)，以下述化学式(1)表示，<img file="FPA00001185044000011.GIF" wi="683" he="262" />在化学式(1)中，n是3～6的整数，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>分别独立地为C<sub>2</sub>H、C<sub>2</sub>H<sub>3</sub>、C<sub>3</sub>H<sub>3</sub>、C<sub>3</sub>H<sub>5</sub>、C<sub>3</sub>H<sub>7</sub>、C<sub>4</sub>H<sub>5</sub>、C<sub>4</sub>H<sub>7</sub>、C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>、C<sub>5</sub>H<sub>7</sub>、C<sub>5</sub>H<sub>9</sub>和C<sub>5</sub>H<sub>11</sub>中的任意一种。 | ||
| 地址 | 日本茨城 | ||