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Método para la fabricación de una célula solar o de un detector de radiación, que presenta las siguientes etapasdel método:- provisión de un cuerpo semiconductor monocristalino (100) que presenta dos lados enfrentados (101, 102) y undopado básico tipo p,- implantación de protones con energías de implantación entre 0,5 MeV y 10 MeV sobre un primer lado (101) en elcuerpo semiconductor (100) de manera que se genere un número de zonas de defecto (11') dispuestas en unadirección lateral del cuerpo semiconductor, distanciadas entre sí, que se extienden partiendo desde un lado (101)hacia el interior del cuerpo semiconductor (100),- ejecución de una etapa de recocido en la que el cuerpo semiconductor se calienta, al menos, en el área de laszonas de defecto (11'), y cuya temperatura y duración se seleccionan de manera que se genere un número de zonassemiconductoras (11) dopadas tipo n, dispuestas distanciadas entre sí,- fabricación de un emisor dopado tipo n (13) que se conecta con las zonas semiconductoras dopadas tipo n (11), yque presenta un dopado tipo n mayor que las zonas semiconductoras dopadas tipo n (11), en la zona del primer lado(101).
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