半导体装置以及用于制造该半导体装置之方法

摘要

本发明提供一种半导体装置，包含：半导体晶片；连接电极(connection electrode)，包含与该半导体晶片电性耦接之第一岛电极(first land electrode)，以及形成于该第一岛电极之上表面上且使用成形凸块(stud bump)与该第一岛电极电性耦接之穿透电极(through electrode)；以及密封树脂(sealing resin)，用于密封该半导体晶片，该连接电极穿透该密封树脂。

主权项

一种半导体装置，包括：半导体晶片；连接电极，包含与该半导体晶片电性耦接之第一岛电极，以及形成于该第一岛电极之上表面上且使用成形凸块与该第一岛电极电性耦接之穿透电极；以及密封树脂，用于密封该半导体晶片，该连接电极穿透该密封树脂，其中，该穿透电极系藉由分层至少二个成形凸块予以形成。如申请专利范围第1项之半导体装置，复包括与该半导体晶片电性耦接之第二岛电极，该第二岛电极系用于外部连接，其中，该连接电极系围绕该半导体晶片之周边设置，且该第二岛电极系设置于该半导体晶片之正下方。一种半导体装置，包括：半导体晶片；连接电极，包含与该半导体晶片电性耦接之第一岛电极，以及形成于该第一岛电极之上表面上且使用成形凸块与该第一岛电极电性耦接之穿透电极；以及密封树脂，用于密封该半导体晶片，该连接电极穿透该密封树脂，其中，该连接电极之上表面系配置为高于该密封树脂之上表面。如申请专利范围第3项之半导体装置，复包括由金属膜形成之线路层，且该线路层包含该第一岛电极、该第二岛电极以及用于电性耦接该第一及该第二岛电极之线路。一种半导体装置，包括：半导体晶片；连接电极，包含与该半导体晶片电性耦接之第一岛电极，以及形成于该第一岛电极之上表面上且使用成形凸块与该第一岛电极电性耦接之穿透电极；以及密封树脂，用于密封该半导体晶片，该连接电极穿透该密封树脂，其中，于彼此相邻之该第一岛电极上所形成之该穿透电极系朝该第一岛电极之纵向方向之不同位置处配置。如申请专利范围第5项之半导体装置，其中，该穿透电极系藉由分层至少二个成形凸块予以形成。如申请专利范围第5项之半导体装置，其中，该线路层系配置在该半导体晶片之下表面下方，该半导体晶片系藉由面朝下的封装方式配置。一种分层半导体结构，其中，系如申请专利范围第1项之该半导体装置的第一半导体装置以及系如申请专利范围第1项之该半导体装置的第二半导体装置系藉由将该第一半导体装置之第一连接电极接合至该第二半导体装置之第二连接电极而被分层。如申请专利范围第8项之分层半导体结构，其中，另一成形凸块系形成于该第一连接电极之上表面与该第二连接电极之下表面之间。如申请专利范围第8项之分层半导体结构，其中，系透过热压或焊锡将该第一及该第二连接电极予以接合。一种用于制造半导体装置之方法，包括下列步骤：电性耦接半导体晶片与第一岛电极；于该第一岛电极之上表面上，形成使利用成形凸块与该第一岛电极电性耦接之穿透电极，以形成包含该第一岛电极及该穿透电极之连接电极；以及形成密封树脂，用于密封该半导体晶片，该连接电极穿透该密封树脂。如申请专利范围第11项之方法，复包括制造由金属膜所形成之线路层的步骤，该线路层包含该第一岛电极、与该半导体晶片电性耦接且用于外部连接之该第二岛电极、以及用于电性耦接该第一及该第二岛电极之线路。如申请专利范围第12项之方法，其中，产生由该金属膜所形成之该线路层之步骤系藉由蚀刻敷设于软性基板之金属膜而产生该线路层之步骤。如申请专利范围第11项之方法，其中，形成该密封树脂之步骤系藉由以用于模制(molding)之薄板(sheet)覆盖该连接电极之上部而用于形成该密封树脂以使该连接电极之上表面系形成为高于该密封树脂之上表面之步骤。如申请专利范围第11项之方法，其中，电性耦接该半导体晶片与该第一岛电极之步骤包含面朝下封装该半导体晶片之步骤。如申请专利范围第11项之方法，其中，形成有该成形凸块之该穿透电极之步骤包含形成将被执行复数次之该成形凸块的步骤。一种用于制造分层半导体结构之方法，包括将系如申请专利范围第1项之该半导体装置之第一半导体装置的第一连接电极接合至系如申请专利范围第1项之该半导体装置之第二导体装置的第二连接电极的步骤。如申请专利范围第17项之方法，其中，接合该第一及该第二连接电极之步骤包含于该第一连接电极之上表面及该第二连接电极之下表面之其中一处形成另一成形凸块的步骤。如申请专利范围第17项之方法，其中，接合该第一及该第二连接电极之步骤包含透过热压或焊锡接合的步骤。