| 主权项 |
一种半导体结构，其包括：一金属结构，其包括：一第一金属层；一第二金属层，其经配置在该第一金属层之上，该第一金属层比该第二金属层更硬挺；一第三金属层，其系配置在该第二金属层之上且与其接触，该第三金属层比该第二金属层更硬挺；及一第四金属层，其系配置在该第三金属层之上且与其接触，该第三金属层比该第四金属层更硬挺。如申请专利范围第1项所述之结构，其包括一第五金属层，其系配置在该第一金属层之上且与其接触及其系配置在该第二金属层之上。如申请专利范围第1项所述之结构，其包括配置在该金属结构之上的一介电层及包括在该介电层之上的一第二金属结构，该第二金属结构包括：一第五金属层，其系配置在该介电层之上且与其接触；一第六金属层，其经配置在该第五金属层之上，该第五金属层比该第六金属层更硬挺；一第七金属层，其系配置在该第六金属层之上且与其接触，该第七金属层比该第六金属层更硬挺。如申请专利范围第1项所述之结构，其中该第一金属层为耐火性金属。如申请专利范围第4项所述之结构，其中该第二金属层为由金、银、铜及铝所组成的群组中之金属。如申请专利范围第5项所述之结构，其中该第三金属层为耐火性金属层。如申请专利范围第4项所述之结构，其中该耐火性金属为由钛、钨、钼及铬所组成的群组中之金属。一种电容器，其包括：一金属结构，其包括：一第一金属层；一第二金属层，其经配置在该第一金属层之上，该第一金属层比该第二金属层更硬挺；一第三金属层，其系配置在该第二金属层之上且与其接触，该第三金属层比该第二金属层更硬挺；一第四金属层，其系配置在该第三金属层之上且与其接触，该第三金属层比该第四金属层更硬挺；一介电层；及一附加金属，其中该介电层系经配置在该金属结构与该附加金属之间。如申请专利范围第8项所述之电容器，其中该附加金属包括一第二金属结构且其中该第二金属结构包括：一第五金属层，其经配置在该介电层之上且与其接触；一第六金属层，其经配置在该第五金属层之上，该第五金属层比该第六金属层更硬挺；一第七金属层，其系配置在该第六金属层之上且与其接触，该第七金属层比该第六金属层更硬挺。如申请专利范围第8项所述之电容器，其中该第一金属层为耐火性金属。如申请专利范围第8项所述之电容器，其中该第二金属层为由金、银、铜及铝所组成的群组中之金属。如申请专利范围第8项所述之电容器，其中该第三金属层为耐火性金属。如申请专利范围第12项所述之电容器，其中该第一金属层及该第三金属层之耐火性金属为由钛、钨、钼及铬所组成的群组中之金属。一种结构，其包括：一金属结构，其包括：一第一耐火性金属层；一第一非耐火性金属层，其经配置在该第一耐火性金属层之上；一第二耐火性金属层，其系配置在该第一非耐火性金属层之上且与其接触；及一第二非耐火性金属层，其经配置在该第二耐火性金属层之上且与其接触。如申请专利范围第14项所述之结构，其中该第一非耐火性金属层及该第二非耐火性金属层为由金、银、铜及铝所组成的群组中之金属。如申请专利范围第15项所述之结构，其中该第一耐火性金属层及该第二金属耐火层为由钛、钨、钼及铬所组成的群组中之金属。如申请专利范围第16项所述之结构，其包括一铂层，其经配置在该第一耐火性金属层及该第一非耐火性金属层之上且与其接触。一种减少介电层中的裂缝之方法，其包括：沈积一金属结构，其系与该介电层接触，此金属结构包括：一第一耐火性金属层，其经配置在该介电层之上；一第一非耐火性金属层，其经配置在该第一金属层之上；一第二耐火性金属层，其系配置在该第一非耐火性金属层之上且与其接触；及一第二非耐火性金属层，其系配置在该第二耐火性金属层之上且与其接触。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该非耐火性金属层为由金、银、铜及铝所组成的群组中之金属。如申请专利范围第19项所述之方法，其中该耐火性金属层为由钛、钨、钼及铬所组成的群组中之金属。如申请专利范围第20项所述之方法，其包括一铂层，其经配置在该第一耐火性金属层及该第一非耐火性金属层之间。 |
