发明名称 硫氢基的修饰方法
摘要 本发明系提供一种硫氢基(thiol group)的修饰方法。此方法包括提供一第一物质,其含有至少一硫氢基(sulfhydryl group);提供一第二物质,其含有至少一硫脲基(thiourea group);以及使第一及第二物质在二价铜离子(Cu2+)存在下进行反应,在硫氢基及硫脲基之间快速地形成双硫键。此双硫键为一可还原的共价键结,可轻易地被还原剂所还原。
申请公布号 TWI375666 申请公布日期 2012.11.01
申请号 TW097127107 申请日期 2008.07.17
申请人 台北医学大学 发明人 吴育伟;蔡郁惠
分类号 C07B45/00 主分类号 C07B45/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种在硫氢基及硫脲基间的形成双硫键之方法,包括:提供一第一物质,其包含至少一硫氢基;提供一第二物质,其包含至少一硫脲基;以及使第一及第二物质在二价铜离子的存在下进行反应,以在硫氢基及硫脲基间形成一双硫键。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该双硫键的形成与该二价铜离子的浓度呈正依赖性。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及第二物质在pH值6.0至8.0的环境下进行反应。如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该第一及第二物质的反应会产生一价铜离子。如申请专利范围第1项所述之方法,另包括额外添加一价铜离子螯合剂以促进第一及第二物质的反应。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及/或第二物质包括核苷酸、脂质、脂肪酸、醣类、聚合物、同位素、或萤光染剂。
地址 台北市信义区吴兴街250号
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