记忆体与抑制记忆体漏电流能量损耗的方法

摘要

本发明提供一种记忆体，包括一电流产生器、一位元线、一记忆体单元、以及一漏电流抑制电路。该电流产生器负责产生一控制电流。该位元线耦接该电流产生器与该记忆体单元，由一位元线选取器控制其导通状态。该记忆体单元包括串接的一电晶体与一记忆元件。该电晶体之导通状态由一字元线上的信号控制。该电晶体导通时，该控制电流负责决定该记忆元件之组态。该漏电流抑制电路将于该记忆体不作用时令该电晶体的一跨压趋近零。

主权项

一种记忆体，包括：一电流产生器，产生一控制电流；一位元线，其导通状态由一位元线选取器控制，耦接该电流产生器；一记忆体单元，耦接该位元线，其中包括串接的一电晶体与一记忆元件；该电晶体之导通状态由一字元线上的信号控制；该记忆元件之组态由该控制电流控制；以及一漏电流抑制电路，耦接该电流产生器至一电压源或一接地端，于该记忆体不作用时令该电晶体的一跨压趋近零；其中：经由该位元线所输入的电流自该电晶体的一第一端流向该电晶体的一第二端，且该第二端耦接该接地端；该漏电流抑制电路于该记忆体作用时耦接该电流产生器至该电压源以正常驱动该电流产生器，并且于该记忆体不作用时切换成耦接该电流产生器至该接地端；且该漏电流抑制电路包括：一正反器，接收一致能信号并且输出该致能信号之反向信号至一第一节点；一第一传输闸，耦接于该接地端与该电流产生器之间，具有一第一控制端接收该致能信号、一第二控制端耦接该第一节点；以及一第二传输闸，耦接于该电压源与该电流产生器之间，具有一第一控制端耦接该第一节点、一第二控制端接收该致能信号；其中，该致能信号随该记忆体作用与否，于高、低准位切换。如申请专利范围第1项所述之记忆体，其中该记忆元件为相变化储存元件。一种记忆体，包括：一电流产生器，产生一控制电流；一位元线，其导通状态由一位元线选取器控制，耦接该电流产生器；一记忆体单元，耦接该位元线，其中包括串接的一第一电晶体与一记忆元件；该第一电晶体之导通状态由一字元线上的信号控制；该记忆元件之组态由该控制电流控制；以及一漏电流抑制电路，耦接该电流产生器至一电压源或一接地端，于该记忆体不作用时令该第一电晶体的一跨压趋近零；其中：经由该位元线所输入的电流自该第一电晶体的一第一端流向该第一电晶体的一第二端，且该第二端耦接该接地端；该漏电流抑制电路耦接于该电流产生器与该位元线之间的一第二节点，用以于该记忆体不作用时将该位元线由耦接该电流产生器转而耦接该接地端；且该漏电流抑制电路包括：一第二电晶体，具有一第一端耦接该第二节点、一第二端耦接该接地端、以及一控制端由一致能信号控制，其中该致能信号于该记忆体作用时不导通该第二电晶体、且于该记忆体不作用时导通该第二电晶体。如申请专利范围第3项所述之记忆体，其中该记忆元件为相变化储存元件。