| 主权项 |
一种发声装置，其包括：一讯号输入装置；以及一发声元件，该发声元件与该讯号输入装置电连接；其改进在于，该发声元件包括一奈米碳管结构，该奈米碳管结构至少一表面与一液态介质接触，该讯号输入装置输入讯号给该奈米碳管结构，使该奈米碳管结构改变该液态介质之密度而发出声波。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该奈米碳管结构之单位面积热容小于2×10－4焦耳每平方厘米克尔文。如申请专利范围第2项所述之发声装置，其中，该奈米碳管结构之单位面积热容小于1.7×10－6焦耳每平方厘米克尔文。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该液态介质之电阻率大于1×10－2欧姆．米。如申请专利范围第4项所述之发声装置，其中，该液态介质包括非电解质溶液、纯水、海水、淡水及有机溶剂中之一种或任意组合。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该奈米碳管结构至少包括一奈米碳管膜、一奈米碳管线状结构或一奈米碳管膜与奈米碳管线状结构形成之组合结构。如申请专利范围第6项所述之发声装置，其中，该奈米碳管线状结构至少包括一奈米碳管线，该奈米碳管线包括复数首尾相连之奈米碳管。如申请专利范围第7项所述之发声装置，其中，该奈米碳管结构由该奈米碳管线状结构平行设置或相互缠绕而成。如申请专利范围第6项所述之发声装置，其中，该奈米碳管膜包括无序奈米碳管膜或有序奈米碳管膜，该无序奈米碳管膜包括复数奈米碳管相互缠绕或各向同性排列，该有序碳奈米膜包括复数奈米碳管沿一个方向或者复数方向择优取向排列。如申请专利范围第9项所述之发声装置，其中，该奈米碳管结构包括复数重叠设置之有序奈米碳管膜。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该奈米碳管结构为厚度于0.5奈米~1毫米之间之层状结构。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该发声元件发声强度大于60分贝每瓦声压级。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该讯号输入装置输入之讯号包括音频电讯号或交流电讯号。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该发声装置进一步包括至少两电极，该电极间隔设置，该讯号输入装置通过该电极与该发声元件电连接。如申请专利范围第1项所述之发声装置，其中，该发声装置进一步包括一支撑结构，该发声元件至少部分设置于该支撑结构表面。 |
