含芳香族磺酸酯化合物及藉光发生酸剂的下层防反射膜形成用组成物

摘要

本发明系提供一种使用于半导体装置制造时，且形成微影制程之可由光阻用的硷性显像液显像之下层防反射时的下层防反射膜形成用组成物、及其使用该下层防反射膜形成用组成物之光阻图型形成方法。;该下层防反射膜形成用组成物为含有聚醯胺酸、具有2个以上的环氧基之交联性化合物、芳香族磺酸酯化合物、光酸产生剂及溶剂者。

主权项

一种下层防反射膜形成用组成物，其为藉由硷性显像液形成与光阻同时显像的下层防反射膜时之下层防反射膜形成用组成物，其特征为含有具有式(1)及式(2)所表示的结构之重量平均分子量为1000~100000之聚醯胺酸、具有2个以上的环氧基之交联性化合物、热分解的启始温度为100℃以上的芳香族磺酸酯化合物、光酸产生剂及溶剂；@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!(式中，A1及A2表示下述式(8)~(16)所示基，B1表示下述式(17)~(24)所示基，B2表示下述式(25)~(34)所示基)；@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!(式中，X表示碳原子数1~5之烷基、氯原子、溴原子、氟原子、碳原子数1~5之烷氧基、羟基、羧基、苯氧基、三氟甲基或硝基，m1表示0、1或2之数)；@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!(式中，Y表示碳原子数1~5之烷基、氯原子、溴原子、氟原子、碳原子数1~5之烷氧基、羟基、羧基、苯氧基、三氟甲基或硝基，m2表示0、1或2之数)；@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!(式中，Z表示碳原子数1~5之烷基、氯原子、溴原子、氟原子、碳原子数1~5之烷氧基、羟基、羧基、苯氧基、三氟甲基或硝基，m2表示0、1或2之数)。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中更含有吸光性化合物。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中更含有芳香族羧酸化合物。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中该交联性化合物为具有2个至4个环氧基的化合物。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中该光酸产生剂为碘鎓盐化合物或鎏盐化合物。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中该芳香族磺酸酯化合物为具有式(3)所表示的结构之化合物；@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!(式中，Ar表示可由选自碳数1~6之烷基、碳数1~6之烷氧基、羟基、硝基、氰基、胺基、卤素基、羧基及碳数1~6的烷氧基羰基所成群之基所取代的苯环、萘环或蒽环，R1及R2各独立表示氢原子或碳数1~6之烷基、或R1与R2可彼此结合形成碳数3~8的环)。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中该芳香族磺酸酯化合物为具有2至4个该式(3)所表示的结构之化合物。如申请专利范围第2项之防反射膜形成用组成物，其中该吸收性化合物为萘羧酸酯化合物。如申请专利范围第8项之下层防反射膜形成用组成物，其中该萘羧酸化合物为萘羧酸化合物与环氧化合物经反应所制造之化合物。如申请专利范围第3项之下层防反射膜形成用组成物，其中该芳香族羧酸化合物为具有酚性羟基之芳香族羧酸化合物。如申请专利范围第3项之下层防反射膜形成用组成物，其中该芳香族羧酸化合物为具有酚性羟基的萘羧酸酯化合物。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中该聚醯胺酸为具有式(4)及式(5)所表示的结构之聚醯胺酸；@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!(式中，A1及A2表示4价有机基)。如申请专利范围第1项之下层防反射膜形成用组成物，其中该聚醯胺酸为具有式(6)及式(7)所表示的结构之聚醯胺酸；@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!(式中，B1、B2如申请专利范围第1项所示者)。一种使用于半导体装置制造时的光阻图型形成方法，其特征为含有将如申请专利范围第1项至第13项中任一项之下层防反射膜形成用组成物涂布于半导体基板上，经烧烤后形成下层防反射膜之步骤、于该下层防反射膜上形成光阻层的步骤、将以该下层防反射膜与该光阻层覆盖之半导体基板曝光的步骤、该曝光后藉由硷性显像液显像的步骤。