发明名称 具有凸块之基板制程及其结构
摘要 一种具有凸块之基板制程,其系包含下列步骤:首先,提供一具有一本体及复数个导电元件之金属基材,接着,形成一第一介电层于该本体,且该第一介电层系包覆该些导电元件,之后,形成复数个线路及复数个接点于该第一介电层之一表面,且该些接点系电性连接该些导电元件,接着,形成一第二介电层于该第一介电层之该表面,该第二介电层系覆盖该些线路,最后,图案化该本体以形成复数个凸块,该些凸块系藉由该些导电元件电性连接该些接点。本发明系藉由蚀刻该本体以形成该些凸块,其系可使该些凸块与该些导电元件间之结合强度佳,且可降低制程成本。
申请公布号 TWI375999 申请公布日期 2012.11.01
申请号 TW096120581 申请日期 2007.06.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王建皓
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 一种具有凸块之基板制程,其系包含:提供一金属基材,该金属基材系具有一本体及复数个导电元件,该本体系具有一上表面及一下表面,该些导电元件系形成于该本体之该下表面;形成一第一介电层于该本体之该下表面,且该第一介电层系包覆该些导电元件,该第一介电层系具有一第一表面及一第二表面;形成复数个第一线路及复数个接点于该第一介电层之该第二表面,且该些接点系电性连接该些导电元件;形成一第二介电层于该第一介电层之该第二表面,该第二介电层系覆盖该些第一线路;以及图案化该本体以形成复数个凸块,该些凸块系藉由该些导电元件电性连接该些接点。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中该些导电元件系为半蚀刻该金属基材所形成。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中该些导电元件系以电镀法所形成。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中在形成该些第一线路及该些接点之步骤前系另包含有:形成一第一金属层于该第一介电层,该些第一线路及该些接点系为图案化该第一金属层所形成。如申请专利范围第4项所述之具有凸块之基板制程,其中该第一金属层之材质系为铜。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中该些凸块系蚀刻该本体至该第一介电层所形成。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中该第一介电层之材质系选自于加强碳碳复合材料(reinforced carbon,RCC)或聚丙烯(polypropylene,PP)。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中该第二介电层系为一防焊层。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其另包含有:形成一第二金属层于该些接点。如申请专利范围第9项所述之具有凸块之基板制程,其中该第二金属层之材质系为镍/金。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其另包含有:形成一第二金属层于该些凸块。如申请专利范围第11项所述之具有凸块之基板制程,其中该第二金属层之材质系为镍/金。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中该金属基材之材质系为铜。如申请专利范围第1项所述之具有凸块之基板制程,其中在形成该些导电元件之步骤前系另包含有:形成复数个第二线路于该本体之该下表面。如申请专利范围第14项所述之具有凸块之基板制程,其中该些第二线路之材质系为镍。如申请专利范围第14项所述之具有凸块之基板制程,其另包含有:形成复数个第三线路于该些第二线路。如申请专利范围第16项所述之具有凸块之基板制程,其中该些第三线路之材质系为铜。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号