发明名称 金属薄膜之形成方法及金属薄膜
摘要 本发明系提供一种藉由低温烧焙、形成低电阻之金属薄膜的方法及金属薄膜。;其特征系于至少1种选自Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru及Pt之金属、或2种以上此等金属所成之合金周围,使附着做为分散剂之有机物所成之金属奈米粒子于含有水及/或有机酸之气体环境下烧焙后,取得金属薄膜。此有机酸为碳数4以下之饱和脂肪酸或不饱和脂肪酸。
申请公布号 TWI375964 申请公布日期 2012.11.01
申请号 TW094143188 申请日期 2005.12.07
申请人 爱发科股份有限公司 日本;真果股份有限公司 日本 发明人 厚木勉;郑久红;小田正明
分类号 H01B1/22 主分类号 H01B1/22
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种金属薄膜之形成方法,其系含有以下步骤之金属薄膜的形成方法,该步骤为于选自Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru及Pt之至少1种金属,或2种以上此等金属所成合金之周围,附着作为分散剂之选自具有直链或支链构造之碳数6~22之饱和脂肪酸及不饱和脂肪酸以及碳数6~13的脂肪族胺之至少1种有机物,得到金属奈米的分散液之步骤、将前述分散液涂布于基板表面的步骤、与烧焙涂布于前述基板表面的分散液,形成金属薄膜之步骤;将前述烧焙在选自碳数4以下的饱和脂肪酸及不饱和脂肪酸的有机酸,或含有该有机酸及水的气体环境下,于80℃以上130℃以下的温度下进行。如申请专利范围第1项之金属薄膜之形成方法,其中该有机酸为甲酸或乙酸。一种金属薄膜,其特征系依申请专利范围第1项、或第2项之金属薄膜之形成方法所形成者。
地址 日本;日本