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一种记忆单元(100)，包括：主动层(102)，其状态系于接受到外部电场及光照射的至少其中之一时，根据来自该主动层的离子、电子、及电洞的至少其中之一所造成之迁移而改变，该状态系指资讯内容；以及有助于将电荷供应到该主动层(102)之被动层(104)，该主动层和该被动层之一者是由P型材料组成，而该主动层和该被动层之一者是由N型材料组成，以使结合该主动层和该被动层形成二极体接面。如申请专利范围第1项之记忆单元(100)，其中，该主动层(102)包括自下列材料的至少其中之一选出的材料：有机材料、无机材料、半导电材料、以及包容化合物(inclusion compound)。如申请专利范围第2项之记忆单元(100)，其中，该主动层(102)包括下列材料的至少其中之一：聚苯胺(polyaniline)、聚噻吩(polythiophene)、聚咇咯(polypyrrole)、聚矽烷(polysilane)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚呋喃(polyfuran)、聚吲哚(polyindole)、聚天蓝烃(polyazulene)、聚乙炔(polyphenylene)、聚吡啶(polypyridine)、聚联吡啶(polybipyridine)、聚苯二甲蓝(polyphthalocyanine)、聚六噻吩(polysexithiofene)、聚(矽酮基半卟啉@sIMGCHAR!d10018.TIF@eIMG!)(poly(siliconoxohemiporphyrazine))、聚(锗酮基半卟啉@sIMGCHAR!d10019.TIF@eIMG!)(poly(germaniumoxohemiporphyrazine))、以及聚(伸乙二氧基噻吩)(poly(ethylenedioxythiophene))。如申请专利范围第1项之记忆单元(100)，其中，该主动层(102)包括下列材料的至少其中之一：芳香烃(hydrocarbon)、具有施体及受体特性的有机分子、有机金属错合物(metallo-organic complex)、卟啉(porphyrin)、苯二甲蓝(phthalocyanine)、以及十六氟苯二甲蓝(hexadecafluoro phthalocyanine)。如申请专利范围第2项之记忆单元(100)，其中，该主动层(102)包含自其中包含自下列材料群组中选出之有机材料：聚二苯乙炔(polydipheny lacetylene)、聚(对-伸苯基乙烯)(poly(p-phenylene vinylene))、聚噻吩(polythio phene)、聚卟啉(polyporphyrin)、卟啉大环(porphyrinic macrocycle)、硫醇基衍生聚卟啉(thiol deriratized polyporphyrin)、聚茂金属(polymetallocene)、聚二茂铁(polyferrocene)、聚苯二甲蓝(polyphthalocyanine)、聚伸乙烯(polyvinylene)、以及聚苯乙烯(polystirole)。如申请专利范围第2项之记忆单元(100)，其中该主动层(102)包括自包含下列材料的群组中所选出之材料：电偶极元素、聚合物铁电原子团(polymer ferro-electric cluster)、无机铁电材料、盐、硷、酸、以及水分子。一种记忆体装置(911)之制造方法，系根据电子-电洞移动通过被动层(104)及主动层(102)而操作的记忆体装置(911)之制造方法，包括下列步骤：在基材上形成第一电极(918)；在该第一电极(918)上形成被动层(104,916)；在该等被动层(104,916)上形成该主动层(102)，该主动层和该被动层之一者是由P型材料组成，而该主动层和该被动层之一者是由N型材料组成，以使结合该主动层和该被动层形成二极体接面；以及在该主动层(102)上形成第二电极(912)。如申请专利范围第7项之方法，进一步包括下列步骤：经由化学汽相沈积制程形成该主动层(102)。如申请专利范围第7项之方法，进一步包括下列步骤：将电压施加到该主动层(102)，以设定该记忆体装置(911)的阻抗状态，而该阻抗状态代表资讯内容。如申请专利范围第7项之方法，进一步包括下列步骤：将流经该记忆体装置(911)的电流与预定值比较。 |
