| 主权项 |
一种磊晶基板，其包含：氮化镓独立式基板，包括第一表面与位于该第一表面相反侧的第二表面，并有超过1×1018cm-3的载子浓度；以及第一氮化镓磊晶膜，配置于该第一表面上；其中：该第一氮化镓磊晶膜有至少5微米和不超过1000微米的厚度；该第一氮化镓磊晶膜有至少1×1014cm-3和不超过1×1017cm-3的载子浓度；且该氮化镓独立式基板的该第一表面有一表面定向，其系在(1-100)或(11-20)的不超过+5度和至少-5度的范围内。如请求项1之磊晶基板，其包含：p型半导体区域，配置于该第一氮化镓磊晶膜内；以及n型半导体区域，配置于该p型半导体区域内；其中该第一氮化镓磊晶膜和该氮化镓独立式基板具有n型导电性(n-type conductivity)。如请求项1之磊晶基板，进一步包括第二氮化镓磊晶膜，其配置于该第一氮化镓磊晶膜上，并且包括p型掺杂剂。如请求项3之磊晶基板，其中该p型掺杂剂使用离子植入法引入。如请求项3之磊晶基板，其中该第二氮化镓磊晶膜系使用金属-有机汽相生长磊晶法形成。如请求项1至5中任一项之磊晶基板，其中该氮化镓独立式基板的该第一表面有不超过1×108cm-2的差排密度。如请求项1至5中任一项之磊晶基板，其中该氮化镓独立式基板的该第一表面包括第一区域，其具有不超过1×108cm-2的一差排密度；以及第二区域，其具有大于该第一区域的该差排密度的差排密度。如请求项1至5中任一项之磊晶基板，其中该第一氮化镓磊晶膜使用HVPE生长。一种包含一第三族氮化物半导体元件的半导体元件，该半导体元件包含：氮化镓支撑基台，包括第一表面与位于该第一表面相反侧的第二表面，并有超过1×1018cm-3的载子浓度；第一氮化镓磊晶层，配置于该第一表面上；欧姆电极，配置于该第二表面上；以及消特基电极，配置于该第一氮化镓磊晶层上；其中：该第一氮化镓磊晶层有至少5微米和不超过1000微米的厚度；该第一氮化镓磊晶层有至少1×1014cm-3和不超过1×1017cm-3的载子浓度；该氮化镓支撑基台的该第一表面有一表面定向，其系在(1-100)或(11-20)的不超过+5度和至少-5度的范围内；且该半导体元件是消特基二极体。一种包含第三族氮化物半导体元件的半导体元件，该半导体元件包含：氮化镓支撑基台，包括第一表面与位于该第一表面相反侧的第二表面，并有超过1×1018cm-3的载子浓度；第一氮化镓磊晶层，配置于该第一表面上；欧姆电极，配置于该第二表面上；第二氮化镓磊晶层，配置于该第一氮化镓磊晶层上并且包含p型掺杂剂；以及欧姆电极，配置于该第二氮化镓磊晶层上；其中：该氮化镓支撑基台具有n型导电性(n-type conductivity)；该第一氮化镓磊晶层有至少5微米和不超过1000微米的厚度；该第一氮化镓磊晶层有至少1×1014cm-3和不超过1×1017cm-3的载子浓度；该氮化镓支撑基台的该第一表面有一表面定向，其系在(1-100)或(11-20)的不超过+5度和至少-5度的范围内；且该半导体元件是pn接合二极体。一种包含一第三族氮化物半导体元件的半导体元件，该半导体元件包含：氮化镓支撑基台，包括第一表面与位于该第一表面相反侧的第二表面，并有超过1×1018cm-3的载子浓度；第一氮化镓磊晶层，配置于该第一表面上；p型半导体区域，配置于该第一氮化镓磊晶层内；n型半导体区域，配置于该p型半导体区域内；源极电极，配置于该n型半导体区域上；汲极电极，配置于该第二表面上；绝缘层，配置于该第一氮化镓磊晶层上；以及闸极电极，配置于该绝缘层上；其中：该第一氮化镓磊晶层有至少5微米和不超过1000微米的厚度；该第一氮化镓磊晶层有至少1×1014cm-3和不超过1×1017cm-3的载子浓度；该氮化镓支撑基台的该第一表面有一表面定向，其系在(1-100)或(11-20)的不超过+5度和至少-5度的范围内；且该半导体元件是MIS电晶体。如请求项11之半导体元件，其中该p型半导体区域的p型掺杂剂使用离子植入法引入。如请求项11或12之半导体元件，其中该n型半导体区域的n型掺杂剂使用离子植入法引入。如请求项9至12中任一项之半导体元件，其中该氮化镓支撑基台的该第一表面有不超过1×108cm-2的差排密度。如请求项9至12中任一项之半导体元件，其中该氮化镓支撑基台的该第一表面包括第一区域，其具有不超过1×108cm-2的一差排密度；以及第二区域，其具有大于该第一区域的该差排密度的差排密度。 |
