雷射加工方法

摘要

本发明提供一种雷射加工方法，藉由将形成改质区域的板状之加工对象物，在其分断步骤以外的步骤中实施小片化，以减少碎片之产生。;在加工对象物1中沿着切断预定线之部分50中，包含有効部41之中间部分51系使雷射光作脉冲振荡，在中间部分51之两侧的一端部分52及另一端部分53系使雷射光作连续振荡。连续振荡之情况的雷射光之强度，系比脉冲振荡时之雷射光的强度更低，因此可在中间部分51形成改质区域71,72,73，而在一端部分52及另一端部分53并不形成改质区域71,72,73。依此方式，改质区域71,72,73并不到达基板4的外面，因此在改质区域71,72,73之形成时，可防止微粒之产生。

主权项

一种雷射加工方法，系将聚光点对准板状之加工对象物而照射雷射光，以沿着该加工对象物之切断预定线，将成为切断之起点的改质区域形成于该加工对象物之内部的雷射加工方法，其特征为：该加工对象物具备有：有效部、及包围此有效部的外缘部；在让该雷射光的聚光点沿着该切断预定线移动的状态下，在该加工对象物中沿着该切断预定线之部分中，在含有该有效部之中间部分，将该雷射光作脉冲振荡以形成该改质区域；在该中间部分之两侧的一端部分及另一端部分，将该雷射光作连续振荡而未形成该改质区域。如申请专利范围第1项之雷射加工方法，其中在该有效部之表面，多个功能元件形成矩阵状。如申请专利范围第2项之雷射加工方法，其中该切断预定线系以通过相邻该功能元件之间的方式，而在该加工对象物上设定成格子状。如申请专利范围第1至3中任一项之雷射加工方法，其中该有效部及该外缘部系由半导体材料而一体地形成，该改质区域含有熔融处理区域。如申请专利范围第1至3中任一项之雷射加工方法，其中在形成该改质区域之后，将该加工对象物沿着该切断预定线切断。如申请专利范围第4项之雷射加工方法，其中在形成该改质区域之后，将该加工对象物沿着该切断预定线切断。