| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层形成暴露衬底的通孔；在所述介质层表面形成填充所述通孔的金属层；对所述金属层进行热处理；在热处理后的金属层表面形成覆盖层。本发明能够避免金属层表面会出现鼓包现象和缺陷现象，提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101996928B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200910056525.6 | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王琪 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层形成暴露衬底的通孔；在所述介质层表面形成填充所述通孔的金属层；对所述金属层进行热处理，所述热处理具体参数为：热处理温度为380摄氏度至420摄氏度，保护气体为N2或者Ar，保护气体流量为每分钟20标准立方厘米至每分钟500标准立方厘米，热处理时间为15秒至25秒；在热处理后的金属层表面形成覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||