发明名称 | 固态成像器件和成像设备 | ||
摘要 | 本发明公开了一种固态成像器件,其包括像素,该像素包括光电转换部分和转换部分,所述转换部分将由光电转换所产生的电荷转换为像素信号。在固态成像器件中,基本上仅栅绝缘膜被形成在与像素中的至少一个晶体管的栅电极下面的区域相对应的衬底上。 | ||
申请公布号 | CN1979883B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
申请号 | CN200610161889.7 | 申请日期 | 2006.12.05 |
申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 糸长总一郎 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 董方源 |
主权项 | 一种固态成像器件,包括:像素,其包括光电转换部分和转换部分,所述转换部分将由光电转换部分所产生的电荷转换为像素信号,其中所述像素中的至少一个晶体管的栅电极包括直接形成在沟道区域上方的第一部分和形成在沟道附近处的衬底上的第二部分,用于注入到所述第一部分/所述第二部分的杂质组合是p型/无掺杂、n型/无掺杂、n型/p型和p型/n型中的任意一种,在所述像素中的元件之间以及所述像素和与其相邻的另一像素之间设置元件隔离区,所述晶体管的栅电极的所述第二部分延伸到所述元件隔离区上,并且在所述晶体管的栅电极下面的所述元件隔离区上仅形成栅绝缘膜,并且所述元件隔离区包括掺杂浓度不同的第一掺杂区和第二掺杂区。 | ||
地址 | 日本东京都 |