负载的无阻抗匹配的高频供电

摘要

本发明涉及一种用于负载（1）的能量供应装置，其具有直流电压源（2）、多个开关级（3）和控制装置（4）。开关级（3）与直流电压源（2）、负载（1）以及控制装置（4）相连接，从而基于通过控制装置（4）对开关级（3）的相应控制可以将负载（1）接通到直流电压源（2）上。所述开关级（3）分别具有场效应晶体管（5）以及多个与各自的场效应晶体管（5）反并联连接的续流二极管（9，9′）。所述场效应晶体管（5）具有临界频率（fG），直至该临界频率该场效应晶体管最大可以被最大运行。对于每个开关级（3），所有与各自的场效应晶体管（5）反并联连接的续流二极管（9，9′）的恢复时间（T）至少大约对应于各自的场效应晶体管（5）的临界频率（fG）的倒数。控制装置（4）至少有时这样控制开关级（3），使得由于失配将功率反射到所述开关级（3）。

主权项

一种用于负载（1）的能量供应装置，‑其中，所述能量供应装置具有直流电压源（2）、多个开关级（3）和控制装置（4），‑其中，所述开关级（3）与所述直流电压源（2）、所述负载（1）以及所述控制装置（4）相连接，从而基于通过该控制装置（4）对所述开关级（3）的相应控制可以将所述负载（1）接通到所述直流电压源（2），‑其中，所述开关级（3）分别具有场效应晶体管（5）以及多个与各自的场效应晶体管（5）反并联连接的续流二极管（9，9′），‑其中，所述场效应晶体管（5）具有临界频率（fG），直至该临界频率所述场效应晶体管可以被最大运行，‑其中，每个续流二极管（9，9′）具有恢复时间（T），其特征在于，‑对于每个开关级（3），所有与各自的场效应晶体管（5）反并联连接的续流二极管（9，9′）的所述恢复时间（T）至少大约对应于各自的场效应晶体管（5）的临界频率（fG）的倒数，并且‑所述控制装置（4）至少有时这样控制所述开关级（3），使得由于失配将功率反射到所述开关级（3）中。