| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构周围的栅极隔离侧墙、位于衬底中栅极结构两侧的源漏区、位于所述源漏区中的外延生长的金属硅化物、位于所述金属硅化物上的源漏金属接触，其特征在于：所述金属硅化物与所述栅极隔离侧墙接触，使得所述栅极隔离侧墙与所述源漏接触金属之间具有所述金属硅化物。金属硅化物具备良好的热稳定性，能够经受消除高k栅介电材料层缺陷的高温退火，因此可以在高k栅介电材料层之前而形成，使得所形成的金属硅化物不仅仅位于接触孔内，还位于整个源漏区上，特别是位于接触孔与栅极隔离侧墙之间的间隙内，从而大幅降低了源漏寄生电阻，提高了器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102760762A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110104362.1 | 申请日期 | 2011.04.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构周围的栅极隔离侧墙、位于衬底中栅极结构两侧的源漏区、位于所述源漏区中的外延生长的金属硅化物、位于所述金属硅化物上的源漏接触金属，其特征在于：所述栅极隔离侧墙与所述源漏接触金属之间具有所述金属硅化物。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||