发明名称 |
矩形基座的不对称接地 |
摘要 |
本发明提供了在等离子体处理腔室(40)使用的接地基座(72),其用于在支撑在该基座上并通过该基座接地的大矩形面板(74)上进行化学气相沉积。多个接地片(86)连接在基座的外围和接地真空腔室之间以缩短RF电子的接地路径。柔性片允许基座垂直移动。所述片提供围绕所述外围不对称的接地电导。所述片可均匀隔开但具有不同厚度或不同形状或从可用的接地点移除,由此提供不同RF电导。选择该不对称以改善沉积均匀性和PECVD所沉积膜的其他质量。 |
申请公布号 |
CN101906621B |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201010251438.9 |
申请日期 |
2008.04.30 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
古田学;崔寿永;崔永镇 |
分类号 |
C23C16/513(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/513(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;赵静 |
主权项 |
一种等离子体处理腔室,包括:包括侧壁和后壁的腔室;所述腔室内的第一电极;所述腔室内的第二电极,所述第二电极与第一电极相对,并配置为与被处理的矩形衬底并列;以及围绕所述第二电极的外围不均匀分布的多个导电片,所述多个导电片将所述外围连接到预定电势的主体,并对围绕所述外围的主体产生不对称接地电导。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |