Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Eine SiC-Halbleitervorrichtung weist auf: ein SiC-Substrat (1, 2) mit einer Schicht (1) ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Driftschicht (2) ersten Leitfähigkeitstyps und einer Hauptoberfläche mit einer Offset-Richtung; einen Graben (6), der auf der Driftschicht angeordnet ist und eine Längsrichtung aufweist; und eine Gate-Elektrode (9), die über einen Gate-Isolierfilm (8) in dem Graben angeordnet ist. Eine Seitenwand des Grabens bildet eine Kanalbildungsoberfläche. Die vertikale Halbleitervorrichtung führt einen Strom entlang der Kanalbildungsoberfläche des Grabens in Übereinstimmung mit einer Gate-Spannung, die an die Gate-Elektrode gelegt wird. Die Offset-Richtung des SiC-Substrats verläuft senkrecht zur Längsrichtung des Grabens.