快闪存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器制造方法。提供基底，基底上有多个隔离结构，隔离结构之间的基底上有介电层与浮置栅极。于基底上形成掩膜层，以覆盖周边区的隔离结构以及位于存储器区且与周边区紧邻的隔离结构。以掩膜层为掩膜，移除存储器区的隔离结构的一部分，使周边区的隔离结构的上表面与介电层的上表面之间以及位于存储器区且与周边区紧邻的隔离结构的上表面与介电层的上表面之间具有第一高度差，存储器区的其余隔离结构的上表面与介电层的上表面之间具有小于第一高度差的第二高度差。移除掩膜层。于基底上形成栅间介电层。于基底上形成导体层。本发明的方法所制作的快闪存储器具有高栅极耦合率与良好的电性。

主权项

一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基底，所述基底包括一存储器区与一周边区，所述基底上已形成有多个隔离结构，且所述隔离结构之间的所述基底上已形成有一第一介电层与一浮置栅极；所述多个隔离结构包括位于周边区的隔离结构、位于存储器区且与所述周边区紧邻的隔离结构以及位于存储器区且不与所述周边区紧邻的隔离结构；于所述基底上形成一掩膜层，所述掩膜层覆盖所述位于周边区的隔离结构以及所述位于存储器区且与所述周边区紧邻的隔离结构；以所述掩膜层为掩膜，移除所述位于存储器区且不与所述周边区紧邻的隔离结构的一部分，使得位于所述周边区的隔离结构的上表面与所述第一介电层的上表面之间具有一第一高度差，所述位于存储器区且与所述周边区紧邻的隔离结构的上表面与所述第一介电层的上表面之间具有所述第一高度差，而所述位于存储器区且不与所述周边区紧邻的隔离结构的上表面与所述第一介电层的上表面之间具有一第二高度差，其中所述第一高度差大于所述第二高度差，且全部隔离结构的上表面高于所述第一介电层的上表面；移除所述掩膜层；于所述基底上形成一栅间介电层；移除所述周边区的所述栅间介电层以及所述浮置栅极；以及于所述基底上形成一导体层。