| 发明名称 | CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法，其中CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底；在半导体衬底上形成第一垫氧化层；去除外围电路区的第一垫氧化层；在第一垫氧化层和半导体衬底上形成第二垫氧化层；刻蚀外围电路区的第二垫氧化层和半导体衬底，像素单元区的第二垫氧化层、第一垫氧化层和半导体衬底，在外围电路区形成第一浅沟槽，在像素单元区形成第二浅沟槽，所述第一浅沟槽比第二浅沟槽深；在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除第二垫氧化层和第一垫氧化层；在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。本发明保证了浅沟槽的隔离功能。 | ||
| 申请公布号 | CN101645419B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200810041370.4 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗飞;朱虹 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底；在半导体衬底上形成第一垫氧化层；去除外围电路区的第一垫氧化层；在第一垫氧化层和半导体衬底上形成第二垫氧化层；刻蚀外围电路区的第二垫氧化层和半导体衬底，像素单元区的第二垫氧化层、第一垫氧化层和半导体衬底，在外围电路区形成第一浅沟槽，在像素单元区形成第二浅沟槽，所述第一浅沟槽比第二浅沟槽深；在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除第二垫氧化层和第一垫氧化层；在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||