发明名称 |
一种抛光液 |
摘要 |
本发明提出一种抛光液,包括如下组分:氧化剂,其含量为所述抛光液总质量的0.1%~5%;螯合剂,其含量为所述抛光液总质量的0.1%~5%;添加剂,其含量为所述抛光液总质量的0.1%~5%;PH调节剂和作溶剂的去离子水,PH值为6~8。本发明的抛光液,一方面选取GST与W之间的抛光差异最小的PH值范围(6~8)来改善GST电化学腐蚀;另一方面,应用本发明的抛光液进行GST抛光时,本发明抛光液含有的添加剂在GST与W上能形成钝化层,进一步改善GST与W之间的抛光差异,减小相对W的GST电化学腐蚀,提高GST的抛光性能,可应用于其他相变材料的抛光制程中,进而提高了PCRAM的成品率。 |
申请公布号 |
CN102757731A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201110103140.8 |
申请日期 |
2011.04.25 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
蒋莉;黎铭琦 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种抛光液,其特征在于,包括如下组分:氧化剂,其含量为所述抛光液总质量的0.1%~5%;螯合剂,其含量为所述抛光液总质量的0.1%~5%;添加剂,其含量为所述抛光液总质量的0.1%~5%;PH调节剂和作溶剂的去离子水,PH值为6~8。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区上海市张江路18号 |