| 发明名称 | 包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，其中该铜-铝电路连线包含一氮化硅铜(CuSiN)层。根据本发明的一实施例的包含铜-铝电路连线的集成电路结构制备方法，其包含以下步骤：提供一铜层；形成一包含氮化硅铜层的阻障层于该铜层上；形成一湿润层于该阻障层上；及形成一铝层于该湿润层上。本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，以减少阻障层厚度及防止填隙问题(例如悬突及其他侧边效应)。 | ||
| 申请公布号 | CN102760757A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110196674.X | 申请日期 | 2011.07.08 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 苏国辉;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 冯志云;郭晓东 |
| 主权项 | 一种包含铜‑铝电路连线的集成电路结构，其特征在于，包括：一铜层(16)；一包含氮化硅铜层(501)的阻障层(50A)，设置于该铜层(16)上；一铝层(52)，设置于该阻障层(50A)的上方相对位置；及一湿润层(56)，设置于该阻障层(50A)与该铝层(52)之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||