| 发明名称 | 不具有专用传输门晶体管的差分读出放大器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种不具有专用传输门晶体管的差分读出放大器，这种用于感测存储器单元阵列的多个存储器单元(C)中存储的数据的差分读出放大器包括：第一CMOS反相器，其具有连接到第一位线(BL)的输出端和连接到与所述第一位线互补的第二位线(/BL)的输入端；第二CMOS反相器，其具有连接到所述第二位线(/BL)的输出端和连接到所述第一位线(BL)的输入端，每个CMOS反相器包括上拉晶体管(M21，M22)和下拉晶体管(M31，M32)，所述读出放大器具有被设置为将所述第一位线和第二位线(BL，/BL)连接到第一全局位线和第二全局位线(IO，/IO)的一对传输门晶体管，其中所述传输门晶体管由所述上拉晶体管(M21，M22)或者所述下拉晶体管(M31，M32)构成。 | ||
| 申请公布号 | CN102760471A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201210124221.0 | 申请日期 | 2012.04.25 |
| 申请人 | SOITEC公司 | 发明人 | R·费朗;R·特维斯 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;周蕾 |
| 主权项 | 一种用于感测存储器单元阵列的多个存储器单元(C)中存储的数据的差分读出放大器，包括：第一CMOS反相器，其具有连接到第一位线(BL)的输出端和连接到与所述第一位线互补的第二位线(/BL)的输入端，第二CMOS反相器，其具有连接到所述第二位线(/BL)的输出端和连接到所述第一位线(BL)的输入端，每个CMOS反相器包括：具有漏极和源极的上拉晶体管(M21，M22)，以及具有漏极和源极的下拉晶体管(M31，M32)每个CMOS反相器的上拉晶体管(M21，M22)和下拉晶体管(M31，M32)具有公共漏极，所述读出放大器具有一对传输门晶体管，该对传输门晶体管被设置成将所述第一位线和第二位线(BL，/BL)连接到第一全局位线和第二全局位线(IO，/IO)，以便分别在所述第一位线和第二位线(BL，/BL)与所述第一全局位线和第二全局位线(IO，/IO)之间传递数据，其特征在于，所述传输门晶体管由所述上拉晶体管(M21，M22)或者由所述下拉晶体管(M31，M32)构成。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||