具有埋入式位线及垂直晶体管的存储装置以及其制作方法

摘要

本发明公开了一种形成埋入式位线的方法，其特征在于包括下列步骤。提供一衬底，且衬底具有一条状区域。在衬底的条状区域中形成一条状沟渠，其中条状沟渠具有一侧壁以及一底面。然后，加大条状沟渠的底面，使底面形成一弧状底面。接下来，在邻近弧状底面的衬底中形成一掺杂区。最后，在掺杂区旁形成一埋入式导电层。

主权项

一种形成埋入式位线的方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有至少一条状区域；在所述衬底的所述条状区域中形成至少一条状沟渠，其中所述条状沟渠具有一侧壁以及一底面；加大所述条状沟渠的所述底面，使得所述底面形成一弧状底面；在邻近所述弧状底面的所述衬底中形成一掺杂区；以及在所述掺杂区旁形成一埋入式导电层，使得所述埋入式导电层形成一埋入式位线。