薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法

摘要

一种薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法。所述存储器电路包含存取电路，位于该存取电路上方的电极，位于该电极层之上的相变化存储桥阵列，以及位于该相变化存储桥阵列之上的多个位元线。该电极层包含电极对。电极对包含具有一上端的第一电极，具有一上端的第二电极以及介于该第一电极和该第二电极之间的的绝缘构件。存储材料桥横越该绝缘构件，并定义横越该绝缘构件、介于该第一和第二电极的电极间的通路。

主权项

一种存储器件，包含：可编程存储单元，包含具有一上表面的第一电极、具有一上表面的第二电极、位于该第一电极和该第二电极之间的绝缘构件、以及位于该第一和第二电极间并横越该绝缘构件的桥，其中该绝缘构件包含至少一个篱芭和一基底，该篱芭分隔该第一电极和该第二电极，该基底分隔该第一电极和一共用源极线，该桥具有第一端和第二端，该第一端与该第一和第二电极的该上表面相接触，其中该桥包含具有至少两个固相的存储材料，且该桥上横越该绝缘构件的电流方向是水平的，其中，相对应行中的两相邻存储单元共享一接触结构以与该第一电极相接触，且两相邻存储单元共享该第一电极；以及晶体管，具有一终端和一导体，该终端位于该第二电极之下，该导体延伸于该终端及该第二电极之间，两相邻晶体管共享该共用源极线。