发明名称 |
消除多层结构的表面上存在的材料碎片的方法 |
摘要 |
本发明涉及消除接合至第二晶片(110)的第一晶片(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)的方法,该方法包括以下步骤:将所述第一晶片(116)放置在液体溶液中;以及在该溶液中传播超声波。本发明还涉及用于制造多层结构(111)的工艺,该工艺包括以下连续步骤:将第一晶片接合至第二晶片以形成多层结构;将该结构退火;以及将第一晶片薄化,所述薄化包括化学蚀刻第一晶片的至少一个步骤。该工艺还包括以下步骤:在化学蚀刻步骤之后,消除被薄化的第一晶片(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)。 |
申请公布号 |
CN102763191A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201180010480.4 |
申请日期 |
2011.02.07 |
申请人 |
索泰克公司 |
发明人 |
B·奥斯特诺德 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚;刘久亮 |
主权项 |
一种用于去除在第一层(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)的工艺,所述第一层(116)被接合至第二晶片(110),要去除的所述碎片大于2μm,该工艺包括:‑将至少所述第一层浸没在液体溶液(126、130)中的步骤;以及‑在所述溶液中传播超声波的步骤,所述超声波的频率和功率被设置成在所述液体溶液中产生空化效应,以从所述露出表面去除所述碎片。 |
地址 |
法国伯尔宁 |