用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法

摘要

公开了用于根据用于具有平面晶体管的器件的第一布局生成用于具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后优化生成的FinFET结构。可以在验证和输出FinFET布局之前生成伪图案和新金属层。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。

主权项

一种生成包括FinFET结构布局的集成电路(IC)设计的方法，所述方法包括：接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域和多个平面伪区域；限定多个FinFET有源区域和多个FinFET伪区域，所述多个FinFET有源区域和所述多个FinFET伪区域对应于所述平面有源区域和所述平面伪区域；限定多个FinFET边界，每个FinFET边界都包括一个或多个FinFET有源区域；生成用于所述多个FinFET有源区域和所述多个FinFET伪区域的多个芯轴；对于每个FinFET边界，如果FinFET边界和相邻部件之间的间隔大于伪芯轴插入间隔，则生成伪芯轴，所述伪芯轴与所述FinFET边界的顶部和/或底部生成的芯轴平行；以及对于每个FinFET边界，扩展生成的芯轴的一端或两端；输出FinFET结构布局。