发明名称 |
一种穿孔的平板电容式气体传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种穿孔的平板电容式气体传感器,包括硅基板、硅顶盖、上电极薄膜、下电极薄膜、气敏介质。其特征在于:①硅基板上设有微阱,下电极薄膜位于微阱底部,上电极薄膜附着在硅顶盖上并悬于微阱的上方。电极薄膜彼此不接触,构成平板电容结构;②气敏介质为混乱交织的微纳米线或微纳米管,位于微阱内;③硅基板和硅顶盖在微阱对应的位置分别开设有多个气孔,构成气流通道。由于采用微纳米线/管作气敏薄膜,不仅表面积大,因而气体扩散吸附容易,因此本发明的气体传感器具有响应快、灵敏度高的特点,可检测极低浓度的气体,且制备方法简单。 |
申请公布号 |
CN102759551A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201210281916.X |
申请日期 |
2012.08.09 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
杜晓松;蔡贝贝;邱栋;蒋亚东 |
分类号 |
G01N27/22(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/22(2006.01)I |
代理机构 |
成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰;杨保刚 |
主权项 |
一种穿孔的平板电容式气体传感器,包括硅基板、硅顶盖、上电极薄膜、下电极薄膜、气敏介质,其特征在于:硅基板上设有微阱,下电极薄膜位于微阱底部,微阱具有倾斜的侧壁以引出电极;气敏介质为微纳米线或微纳米管,位于微阱内;上电极薄膜附着在硅顶盖上并悬于微阱的上方,硅基板和硅顶盖在微阱对应的位置分别开设有多个气孔。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |