在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法

摘要

本发明提供一种在InP衬底上制备高k栅介质薄膜和MIS电容的方法，该方法工艺简单，在利用PEALD工艺沉积高k栅介质薄膜之前通过等离子体原位处理对InP衬底进行钝化，改善了高k栅介质与InP衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉扎效应的影响，并且在高k栅介质薄膜形成后利用氧等离子体原位后处理提高了高k薄膜的致密度和薄膜质量。同时，本发明在InP衬底上制备稳定的性质优良的高k栅介质薄膜基础上，并成功制作MIS电容结构，为后面验证高k栅介质薄膜的电学性能提供了基础。

主权项

一种在InP衬底上制备高K栅介质薄膜的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一双面抛光的InP晶片作为衬底，对其进行清洗后放入PEALD反应腔内；2）以Ar气作为载气，以NH3或N2作为反应气体，利用等离子体工艺对InP衬底正面进行原位氮化处理；3）利用PEALD工艺在所述InP衬底正面沉积高K栅介质薄膜；4）利用氧等离子体工艺对所述高K栅介质薄膜进行原位后处理；5）将形成的所述高K栅介质薄膜的样品置入退火炉中进行N2气氛退火处理。