| 发明名称 | 金属栅极结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种金属栅极结构，该金属栅极结构包括有高介电常数栅极介电层、含氮层、功函数金属层、以及氮捕陷层。该含氮层设置于该功函数金属层与该高介电常数栅极介电层之间；而该氮捕陷层设置于该功函数金属层与该高介电常数栅极介电层之间，且该氮捕陷层不包括任何氮离子或包括低浓度氮离子。 | ||
| 申请公布号 | CN102760758A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110104782.X | 申请日期 | 2011.04.26 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林坤贤;黄信富;李宗颖;蔡旻錞;许启茂;林进富 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种金属栅极结构，包括有：高介电常数栅极介电层；功函数金属层；含氮层，设置于该功函数金属层与该高介电常数栅极介电层之间；以及氮捕陷层，设置于该功函数金属层与该高介电常数栅极介电层之间，且该氮捕陷层不包括任何氮离子。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||