高纯粒状硅及其制造方法

摘要

本发明涉及高纯粒状硅及其制造方法，公开了高纯半导体级粒状硅合成物及其制造方法。通过在第一化学气相沉积(CVD)反应器中在硅晶种上沉积硅，由此使晶种生长成较大的二级晶种，可以制造商业量的粒状硅。在第二CVD反应器中在二级晶种上沉积另外的硅。在第三反应器中减少粉尘。本文所公开的方法可实现比传统实践更高的生产量和更好的收率。

主权项

粒状硅合成物，包含总重量为至少300千克的多个自由流动的硅粒子，其中这些粒子具有小于0.2ppba的平均过渡金属浓度。