发明名称 一种显影方法
摘要 本发明涉及一种显影方法,包括将待显影处理的晶圆固定在晶圆支撑座上;在待显影处理的晶圆上实施预湿工艺;向待显影处理的晶圆喷涂显影液,使光刻胶层中被曝光的区域与显影液发生化学反应而溶解;对完成显影处理的晶圆进行清洗、甩干。本发明提供的显影方法,可使晶圆的光刻胶层表面始终处于湿润状态,因此,会在后续清洗步骤中更容易去除在晶圆表面形成的残留缺陷;其次,由于以不同的转速将预湿液喷涂到晶圆上,因此,可以在整个晶圆表面上形成均匀、完整的预湿液膜,从而可以在后续的清洗步骤中去除在晶圆表面上形成的残留缺陷,进而避免了由于显影工艺的不足造成的后续刻蚀或离子注入的缺陷,最终提高了产品的稳定性和良率。
申请公布号 CN102298275B 申请公布日期 2012.10.31
申请号 CN201010218057.0 申请日期 2010.06.23
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 吕炜
分类号 G03F7/30(2006.01)I 主分类号 G03F7/30(2006.01)I
代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 代理人 董巍;徐丁峰
主权项 一种显影方法,包括:将待显影处理的晶圆固定在晶圆支撑座上;在所述待显影处理的晶圆上实施预湿工艺;向所述待显影处理的晶圆喷涂显影液,使光刻胶层中被曝光的区域与所述显影液发生化学反应而溶解;对喷涂完所述显影液显影反应完成的晶圆进行清洗、甩干;其中所述预湿工艺包括:a)旋转所述待显影处理的晶圆并在其上喷涂预湿液;b)进一步旋转所述待显影处理的晶圆并将其保持在较高转速下一定时段,以使所述预湿液在所述待显影处理的晶圆表面形成预湿液膜;c)将所述待显影处理的晶圆减速到0;其中所述步骤a)包括:在第一时段将静止的所述待显影处理的晶圆加速到第一转速并在第二时段一直保持所述第一转速,同时以第一喷涂速率在所述待显影处理的晶圆表面喷涂所述预湿液;在第三时段内将转速为所述第一转速的所述待显影处理的晶圆加速到高于所述第一转速的第二转速,并在第四时段内保持所述待显影处理的晶圆处于所述第二转速,同时以所述第一喷涂速率在所述待显影处理的晶圆表面喷涂所述预湿液。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
您可能感兴趣的专利