| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 在包括氧化物半导体层的晶体管中，形成氧化物绝缘层，以与氧化物半导体层接触。然后，通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层，并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤，从氧化物半导体层有意地去除杂质，如氢、水分、羟基或氢化物，以便使氧化物半导体层高度纯化。 | ||
| 申请公布号 | CN102763203A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201180011339.6 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;肥塚纯一 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周李军;李进 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，所述方法包含以下步骤：形成氧化物半导体层；形成氧化物绝缘薄膜，以与氧化物半导体层接触；将氧通过氧化物绝缘薄膜加入氧化物半导体层；对氧化物绝缘薄膜和氧化物半导体层进行热处理。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||