一种用于集成电路制造中改进光刻的方法

摘要

本发明提供了一种用于集成电路制造中改进光刻的方法，包括：根据原始版图的设计图形，确立最优的光学邻近校正模型、光刻目标、次分辨率辅助图形参数；基于最小节距和最小间距准则分解原始版图的设计图形；对分解得到的掩膜图形放置次分辨率辅助图形并应用光学邻近校正；进行光学规则检查，同时进行掩膜误差增强因子检验；对前述检验结果进行评价。根据本发明，可以避免采用现有的图形分解方法分解图形以后在图形拐角及连接部位之间存在的细小间隙，很好地控制DPT之后所得图形的线宽偏差、线端回缩和拐角圆化现象，保证最终转移到硅片各层材料上的图形的质量，提高IC的性能。

主权项

一种用于集成电路制造中改进光刻的方法，其特征在于，包括：根据原始版图的设计图形，确立最优的光学邻近校正模型、光刻目标、次分辨率辅助图形参数；基于最小节距和最小间距准则分解所述原始版图的设计图形；对分解得到的掩膜图形放置次分辨率辅助图形并应用光学邻近校正；在一定的工艺宽容度下运行光学规则检查，同时进行掩膜误差增强因子检验；对前述检验结果进行评价。