发明名称 显示装置、半导体装置以及它们的驱动方法
摘要 本发明的目的在于提供一种实现更好工作的半导体装置。一种半导体装置,包括:第一晶体管;以及与第一晶体管的栅极电连接的第二晶体管,其中第一晶体管的第一端子与第一布线电连接,第一晶体管的第二端子与第二布线电连接,并且第一晶体管的栅极与第二晶体管的第一端子或第二端子电连接。在上述半导体装置中,第一及第二晶体管可以使用至少在沟道区中具有氧化物半导体且低截止电流的晶体管。
申请公布号 CN102763332A 申请公布日期 2012.10.31
申请号 CN201180010742.7 申请日期 2011.01.26
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 梅崎敦司;木村肇
分类号 H03K17/687(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 叶晓勇;李浩
主权项 一种半导体装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;以及第三晶体管,其中,所述第一晶体管的源极和漏极中的一方与第一布线电连接,所述第一晶体管的源极和漏极中的另一方与第二布线电连接,所述第二晶体管的源极和漏极中的一方与所述第二布线电连接,所述第二晶体管的源极和漏极中的另一方与所述第一晶体管的栅极电连接,所述第二晶体管的栅极与所述第一布线电连接,所述第三晶体管的源极和漏极中的一方与第三布线电连接,所述第三晶体管的源极和漏极中的另一方与所述第一晶体管的栅极电连接,所述第三晶体管的栅极与所述第三布线电连接,并且,所述第二晶体管和所述第三晶体管的沟道区分别使用氧化物半导体形成。
地址 日本神奈川县厚木市
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