发明名称 |
处理腔室之气流改良 |
摘要 |
本发明的具体实施例大体上提供等离子体蚀刻制程腔室的改良。提供了一种改良的气体注射喷嘴,其可于腔室盖体的位置处使用。气体注射喷嘴可用于现有等离子体蚀刻腔室中,并经配置以提供一连串的圆锥状气体流遍及布置于腔室内之基材的表面。在一个具体实施例中,提供了一种用于等离子体蚀刻腔室中的改良的排放套件。排放套件包括可用于现有等离子体蚀刻腔室中的设备,并经配置以提供来自腔室的处理区域的环状排放气体流。 |
申请公布号 |
CN102763199A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201180009422.X |
申请日期 |
2011.02.09 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
斯坦利·德特玛;布里恩·T·韦斯特;罗纳德·维恩·肖尔 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
王安武 |
主权项 |
一种在处理腔室中使用的套件,其包含:气体注射喷嘴,其具有多个可调整的堆叠式环状气体输送间隙;以及环状流量控制组件,具有上方凸出部,该上方凸出部向下延伸进入下方凹陷部,其中该环状流量控制组件具有延伸穿过其中的开口,该开口具有大于约200mm的直径。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |