发明名称 |
一种阵列基板及显示装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置,所述阵列基板,包括多个像素单元,其中每个像素单元包括一薄膜晶体管和一第一透明电极,所述薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极,其中,所述源极和漏极,位于有源层的上方或下方,并相对而置形成一第一沟槽;所述第一透明电极,包括位于所述薄膜晶体管的区域之外的部分和延伸至所述源极和漏极的下方与源极和漏极层叠接触的部分,所述与源极和漏极层叠接触的部分形成一与所述第一沟槽重合的第二沟槽,所述第二沟槽与第一沟槽共同构成有源层的沟道。本实用新型的阵列基板在制造时,只需通过一次半色调掩模构图工艺即可形成第一透明电极图形,及源极、漏极和数据扫描线图形,简化了生产工艺,提高了产能。 |
申请公布号 |
CN202512328U |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201220140272.8 |
申请日期 |
2012.04.05 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
木素真;邓检 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,包括多个像素单元,其中每个像素单元包括一薄膜晶体管和一第一透明电极,所述薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极,其特征在于,所述源极和漏极,位于有源层的上方或下方,并相对而置形成一第一沟槽;所述第一透明电极,包括位于所述薄膜晶体管的区域之外的部分和延伸至所述源极和漏极的下方与源极和漏极层叠接触的部分,所述延伸至所述源极和漏极的下方与源极和漏极层叠接触的部分形成一与所述第一沟槽重合的第二沟槽,所述第二沟槽与第一沟槽共同构成有源层的沟道。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |