Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung umfasst: einen Transistorbereich mit einem IGBT mit einer Gateelektrode (7) und einer Emitterelektrode (9); einen Abschlussbereich, der um den Transistorbereich angeordnet ist; und einen Extraktionsbereich, der zwischen dem Transistor- und dem Abschlussbereich angeordnet ist und redundante Ladungsträger extrahiert. Eine Schicht (11) vom P-Typ ist auf einer Driftschicht (1) vom N-Typ im Extraktionsbereich angeordnet. Die Schicht vom P-Typ ist mit der Emitterelektrode verbunden. Eine Blindgateelektrode (13) ist über einen Isolationsfilm (12) auf der Schicht vom P-Typ angeordnet. Die Blindgateelektrode ist mit der Gateelektrode verbunden. Die Lebensdauer der Ladungsträger im Abschlussbereich ist kürzer als die Lebensdauer der Ladungsträger im Transistorbereich und im Extraktionsbereich.