横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法，在依据本发明的一种实施例中，LDMOS晶体管包括：(1)衬底上的n掺杂深n阱区域(DNW)；(2)LDMOS晶体管的源极区域和漏极区域之间的栅氧化层和漏氧化层，所述栅氧化层与源极区域相邻，所述漏氧化层与漏极区域相邻；(3)在栅氧化层和部分漏氧化层之上的导电栅极；(4)源极区域中的p型掺杂p体区域(p-doped p-body)；(5)漏极区域中的n型掺杂区域；(6)源极区域的p型掺杂p体区域中的第一n型掺杂n+区域和p型掺杂p+区域，并且所述第一n型掺杂n+区域和p型掺杂p+区域相邻；(7)漏极区域中的第二n型掺杂n+区域。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，所述横向双扩散金属氧化物半导体晶体管包括衬底上的源极区域，漏极区域和栅极区域，其特征在于，包括以下步骤：在该衬底表面注入n型掺杂剂以形成n型掺杂深n‑阱区域；利用第一类型区域硅氧化工艺形成场氧化层；在所述晶体管的源极区域和漏极区域之间形成栅氧化层和漏氧化层，所述栅氧化层与源极区域相邻，所述漏氧化层与漏极区域相邻；所述漏氧化层采用第二类型区域硅氧化工艺形成；使用导电材料涂覆所述栅氧化层和部分所述漏氧化层形成栅极；在所述源极区域注入p型掺杂剂以形成p型掺杂p体区域；在所述漏极区域注入n型掺杂剂以形成n型掺杂漏极区域；在所述源极区域注入n型掺杂剂以形成第一n型掺杂n+区域；在所述漏极区域注入n型掺杂剂以形成第二n型掺杂n+区域；在所述源极区域注入p型掺杂剂以形成p型掺杂p+区域。