| 发明名称 | 结晶性膜、器件、以及结晶性膜或器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN102763192A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201180008801.7 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 并木精密宝石株式会社;株式会社迪思科 | 发明人 | 会田英雄;青田奈津子;星野仁志;古田健次;浜元友三郎;本庄庆司 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人 | 张立岩 |
| 主权项 | 一种结晶性膜，其特征在于，厚度为300μm以上10mm以下，并在内部形成有改性区域图形。 | ||
| 地址 | 日本国东京都足立区新田3丁目8番22号 | ||