发明名称 |
一种集成电阻的发光二极管芯片 |
摘要 |
本发明涉及一种集成电阻的发光二极管芯片,包括左侧半导体电阻和右侧半导体电阻,在左侧半导体电阻和右侧半导体电阻之间串联有多个发光二极管,相邻两个发光二极管通过N型层电极与P型金属欧姆接触层电极连接实现串联;所述左侧半导体电阻和所述右侧半导体电阻分别都设有两个接触电极,左侧半导体电阻或右侧半导体电阻的一个接触电极与电源的正极或负极连接,另外一个接触电极与相邻发光二极管的N型层或P型金属欧姆接触层连接。本发明方法可以将发光二极管芯片制作成多个发光二极管以及半导体电阻,因而不再需要与专门的整流电路和外加电阻配合使用,大大降低了照明灯具生产成本以及电路连接的复杂性。 |
申请公布号 |
CN102760746A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201110375170.4 |
申请日期 |
2011.11.23 |
申请人 |
俞国宏 |
发明人 |
俞国宏 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京五月天专利商标代理有限公司 11294 |
代理人 |
梁庆丰 |
主权项 |
一种集成电阻的发光二极管芯片,其特征在于:包括左侧半导体电阻(R1)和右侧半导体电阻(R2),在所述左侧半导体电阻(R1)和所述右侧半导体电阻(R2)之间串联有多个发光二极管(L1、L2、L3),所述左侧半导体电阻(R1)、所述右侧半导体电阻(R2)以及所述多个发光二极管除了共用一衬底(1)层外分别由独立的缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、有源区结构(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)以及P型金属欧姆接触层(9)由下至上组合而成;相邻两个发光二极管通过N型层(3)电极与P型金属欧姆接触层(9)电极连接实现串联;所述左侧半导体电阻(R1)和所述右侧半导体电阻(R2)分别都设有两个接触电极,所述左侧半导体电阻(R1)或所述右侧半导体电阻(R2)的一个接触电极与电源的正极或负极连接,另外一个接触电极与相邻发光二极管的N型层(3)或P型金属欧姆接触层(9)连接。 |
地址 |
332000 江西省九江市浔阳区滨江一支路9号1单元702室 |