发明名称 |
基于活性金属与导电高聚物同轴纳米线的单电极和有序化膜电极及制备 |
摘要 |
其质子交换膜-导电高聚物纳米线具有3D结构,由质子交换膜及其一侧定向生长着的导电高聚物纳米线组成;其单电极由纳米金属薄膜层包敷在有序化导电高聚物纳米线表面形成;其膜电极由两个单电极的质子交换膜一侧相向粘结而成。本发明优点:1)催化剂层具备良好的导电能力;2)具备优异的抗腐蚀性能;3)金属-导电高聚物同轴纳米线的基底是质子交换膜,合成的催化剂层亦具有较强的导质子性能。4)由于实现了膜电极的有序化,金属与薄膜可以有效的提高贵金属的利用率,有利于水的输运与反应气体的传质。 |
申请公布号 |
CN102760899A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201210197930.1 |
申请日期 |
2012.06.15 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
木士春;张潇;李怀光;潘牧 |
分类号 |
H01M8/02(2006.01)I;H01M8/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01M8/02(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
张安国;伍见 |
主权项 |
一种具有3维同轴结构的质子交换膜‑金属‑导电高聚物阵列的有序化单电极,其特征在于:质子交换膜和导电高聚物阵列具有3维导体结构,由质子交换膜及其一侧定向生长着导电高聚物纳米线阵列共同组成3维导体结构,金属纳米薄膜包敷在导电高聚物纳米线外侧,形成质子交换膜一侧定向生长着金属‑导电高聚物纳米线同轴结构的有序化单电极。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |