发明名称 Bauteil mit orientiertem organischem Halbleiter
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein organisches Halbleiterbauteil und dessen Herstellung. Darin weist eine organische Halbleiterschicht (35, 36) Komplexe auf, die an einer Grenzfläche zwischen einer ersten Schicht (35a, 36a) und einer zweiten Schicht (35b, 36b), angeordnet sind. Dadurch weist die organische Halbleiterschicht (35, 36) eine Orientierung auf. Die erste Schicht (35a, 36a) umfasst ein Salz, das die zentralen Kationen für die Komplexe stellt. Die zweite Schicht (35b, 36b) umfasst Moleküle, die die Liganden der Komplexe sind. Die Komplexbildung passiert bei der Abscheidung der zweiten auf die erste Schicht.</p>
申请公布号 DE102011017572(A1) 申请公布日期 2012.10.31
申请号 DE20111017572 申请日期 2011.04.27
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 SCHMID, GUENTER
分类号 H01L51/52;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/54 主分类号 H01L51/52
代理机构 代理人
主权项
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