发明名称 MEMS三轴加速度传感器及其制造方法
摘要 本发明提供了一种MEMS三轴加速度传感器及其制造方法。根据本发明的MEMS三轴加速度传感器包括支撑框体、弹性梁、敏感质量块、下支撑体、栅型敏感电容和引线电极;其中,敏感质量块通过弹性梁悬于支撑框体之间,支撑框体通过键合与下支撑体连接,敏感质量块与下支撑体之间有间隙,敏感质量块上制作了栅型电容的上电极,下支撑体的内表面上制作栅型电容的下电极组,上电极与下电极组错位排列构成一组栅型电容,该组栅型电容从引线电极输出;其中,该组栅型电容包括第一电容、第二电容、第三电容和第四电容,第一电容与第二电容、第三电容与第四电容分别构成差分检测电容,所述MEMS三轴加速度传感器通过电容的运算实现三轴加速度量的同时检测。
申请公布号 CN102759637A 申请公布日期 2012.10.31
申请号 CN201110106037.9 申请日期 2011.04.26
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 吴亚明;杨丹琼;徐静;钟少龙
分类号 G01P15/18(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 G01P15/18(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种MEMS三轴加速度传感器,其特征在于包括:支撑框体(1)、弹性梁(2)、敏感质量块(3)、下支撑体(4)、栅型敏感电容(5)和引线电极(6);其中,敏感质量块(3)通过弹性梁(2)悬于支撑框体(1)之间,支撑框体(1)通过键合与下支撑体(4)连接,敏感质量块(3)与下支撑体(4)之间有间隙(7);其中,敏感质量块(3)上制作了栅型电容(5)的上电极(8),下支撑体(4)的内表面上制作栅型电容(5)的下电极组(9),上电极(8)与下电极组(9)错位排列构成一组栅型电容(5),该组栅型电容(5)从引线电极(6)输出;该组栅型电容(5)包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和第四电容(C4),第一电容(C1)与第二电容(C2)、第三电容(C3)与第四电容(C4)分别构成差分检测电容,所述MEMS三轴加速度传感器通过电容的运算实现X、Y、Z三轴加速度量的同时检测。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号