形成自对准接触物的方法及具有自对准接触物的集成电路

摘要

一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，其上具有晶体管，其中该晶体管包括罩幕层及形成于该罩幕层相对侧的一对绝缘间隔物；在该基板之上形成介电层，并覆盖该晶体管；移除该介电层的部份，以露出该晶体管的顶部；在该介电层与该晶体管的该顶部上顺应地形成阻障层；蚀刻该阻障层，在该晶体管的该一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；施行蚀刻程序，将该保护阻障物与该罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出该晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口及由该保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及在该自对准接触开口内形成导电层以接触该晶体管该源极/汲极区。

主权项

一种形成自对准接触物的方法，包括：提供基板，所述基板上具有晶体管，其中所述晶体管包括罩幕层及形成于所述罩幕层的相对侧的一对绝缘间隔物；在所述基板上形成介电层，并覆盖所述晶体管；移除所述介电层的部份，以露出所述晶体管的顶部；在所述介电层与所述晶体管的所述顶部上形成阻障层；蚀刻所述阻障层，在所述晶体管的所述一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；施行蚀刻程序，将所述保护阻障物与所述罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出所述晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口以及由所述保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及在所述自对准接触开口内形成导电层以接触所述晶体管的所述源极/汲极区。