| 发明名称 | 形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法 | ||
| 摘要 | 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102760661A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201210132762.8 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑淑真;李钟喆;金润洙;柳次英;姜相列 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 金拟粲 |
| 主权项 | 形成氧化物层的方法，所述方法包括：在基底表面上形成反应‑抑制官能团的层；在所述反应‑抑制官能团的层上形成特定材料的前体的层；和氧化所述特定材料的前体的层以获得所述特定材料的氧化物层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||