| 发明名称 | 大马士革CMP凹陷程度的监测机构及其电阻测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供监测大马士革结构的CMP凹陷程度的机构，包括：导线，位于所述导线两端的低电压施加端和高电位施加端，在所述低电压施加端和所述高电位施加端之间设置有至少四个电位检测端，每相邻两个电位检测端之间设置一个被测导线。同时本发明还提及了大马士革电阻的测试方法。解决了现有技术无法方便检测大马士CMP凹陷程度和电阻的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101697339B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200910197811.4 | 申请日期 | 2009.10.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 肖海波 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 大马士革CMP凹陷程度的监测机构，包括：导线，位于所述导线两端的低电压施加端和高电位施加端，在所述低电压施加端和所述高电位施加端之间设置有至少四个电位检测端，每相邻两个电位检测端之间设置一个被测导线，其中，被测导线是导线的一部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||