| 发明名称 | 硅通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，在硅衬底上形成层间介质层；在层间介质层上形成硬掩模结构，所述硬掩模结构包括依次位于层间介质层上的第一硬掩模层、第二硬掩模层，所述第一硬掩模层包含金属；形成依次贯穿所述硬掩模结构、层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；向所述通孔底部、侧壁及硬掩模结构上沉积绝缘材料，形成覆盖所述通孔底部、侧壁及硬掩模结构的绝缘层；依次去除位于硬掩模结构上的绝缘层、位于第一硬掩模层上的第二硬掩模层，直至露出所述第一硬掩模层；向所述通孔中填充导电材料；通过CMP去除第一硬掩模层直至露出层间介质层。本发明硅通孔的形成方法可改善所形成的硅通孔的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102760691A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110109844.6 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，在硅衬底上形成层间介质层；在层间介质层上形成硬掩模结构，所述硬掩模结构包括依次位于层间介质层上的第一硬掩模层、第二硬掩模层，所述第一硬掩模层包含金属；形成依次贯穿所述硬掩模结构、层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；向所述通孔底部、侧壁及硬掩模结构上沉积绝缘材料，形成覆盖所述通孔底部、侧壁及硬掩模结构的绝缘层；依次去除位于硬掩模结构上的绝缘层、位于第一硬掩模层上的第二硬掩模层，直至露出所述第一硬掩模层；向所述通孔中填充导电材料；通过CMP去除第一硬掩模层直至露出层间介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||