| 发明名称 |
发光二极管的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在基底的外延生长面生长一半导体外延层，其中，所述半导体外延层包括一N型半导体层、一活性层以及一P型半导体层；蚀刻所述半导体外延层，从而使部分碳纳米管层暴露；以及设置一第一电极和一第二电极，其中，所述第一电极设置于所述半导体外延层远离基底的表面，所述第二电极设置于所述碳纳米管层暴露的部分表面。 |
| 申请公布号 |
CN102760796A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
| 申请号 |
CN201110110729.0 |
申请日期 |
2011.04.29 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在基底的外延生长面生长一半导体外延层，其中，所述半导体外延层包括一N型半导体层、一活性层以及一P型半导体层；蚀刻所述半导体外延层，从而使部分碳纳米管层暴露；以及设置一第一电极和一第二电极，其中，所述第一电极设置于所述半导体外延层远离基底的表面，所述第二电极设置于所述碳纳米管层暴露的部分表面。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
